Silicon-based schottky barrier infrared optical detector

Details Silicon-based schottky barrier infrared optical detector Silicon-based schottky barrier infrared optical detector

H - Electricity

01

L

H01L 27/14 (2006.01) H01L 31/00 (2006.01) H01L 31/0232 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01)

Patent

CA 2546555

A silicon-based IR photodetector [20] is formed within a silicon-on-insulator (SOI) structure [22] by placing a metallic strip [30] (preferably, a silicide) over a portion of an optical waveguide formed within a planar silicon surface layer [28] (i.e., "planar SOI layer") of the SOI structure, the planar SOI layer comprising a thickness of less than one micron. Room temperature operation of the photodetector is accomplished as a result of the relatively low dark current associated with the SOI-based structure and the ability to use a relatively small surface area silicide strip to collect the photocurrent. The planar SOI layer may be doped, and the geometry of the silicide strip may be modified, as desired, to achieve improved results over prior art silicon-based photodetectors.

L'invention concerne un photodétecteur IR à base de silicium formé dans une structure silicium sur isolant par l'application d'une bande métallique (de préférence un siliciure) sur une partie d'un guide d'onde optique formé dans une couche superficielle de silicium plane (c.-a-d. couche plane de SOI) de la structure SOI, la couche de SOI plane possédant une épaisseur de moins d'un micron. Le fonctionnement à température ambiante du photodétecteur s'effectue grâce au courant d'obscurité relativement faible associé à la structure à base de SOI et à la capacité d'utilisation d'une bande de siliciure de surface relativement petite pour collecter le courant photoélectrique. La couche de SOI plane peut être dopée et la géométrie de la bande de siliciure peut être modifiée, à volonté, pour atteindre des résultats supérieurs à ceux obtenus pour les photodétecteurs à base de silicium de la technique antérieure.

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