Silicon carbide cmos and method of fabrication

Details Silicon carbide cmos and method of fabrication Silicon carbide cmos and method of fabrication

H - Electricity

01

L

H01L 27/04 (2006.01) H01L 21/82 (2006.01) H01L 27/06 (2006.01)

Patent

CA 2251737

A monolithic CMOS integrated device formed in silicon carbide and method of fabricating same. The CMOS integrated device includes a layer of silicon carbide of a first conductivity type with a well region of a second conductivity type formed in the layer of silicon carbide. A MOS field effect transistor is formed in the well region and a complementary MOS field effect transistor is formed in the silicon carbide layer. The method of fabrication of CMOS silicon carbide includes formation of an opposite conductivity well region in a silicon carbide layer by ion implantation. Source and drain contacts are also formed by selective ion implantation in the silicon carbide layer and the well region. A gate dielectric layer is formed by deposition and re- oxidation. A gate electrode is formed on the gate dielectric such that a channel region is formed between the source and the drain when a bias is applied to the gate electrode. Source drain and body contacts are preferably formed of the same material in a single fabrication step.

Cette invention concerne un dispositif intégré monolithique CMOS constitué de carbure de silicium et le procédé de fabrication correspondant. Ledit dispositif intégré CMOS comporte une couche de carbure de silicium d'un premier type de conductivité ayant une région faisant office de puits de potentiel d'un second type de conductivité formée dans ladite couche de silicium. On forme un transistor à effet de champ MOS dans la région faisant office de puits ainsi qu'un transistor à effet de champ MOS complémentaire dans la couche de carbure de silicium. Le procédé de fabrication du carbure de silicium du CMOS consiste à former une région, faisant office de puits, de conductivité opposée, dans la couche de carbure de silicium par implantation ionique. On forme également des contacts de source et de drain par implantation ionique sélective dans la couche de carbure de silicium et dans la région faisant office de puits. On forme par dépôt et ré-oxydation une couche de diélectrique de grille. On forme une électrode de grille sur le diélectrique de grille de façon à ce qu'une région de type canal soit constituée entre la source et le drain lorsqu'on soumet l'électrode de grille à une polarisation. On fabrique de préférence, en une seule opération, les contacts de source, de drain et du corps dans le même matériau.

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