Silicon carbide devices and fabricating methods therefor

Details Silicon carbide devices and fabricating methods therefor Silicon carbide devices and fabricating methods therefor

H - Electricity

01

L

H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/331 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/10 (2006.01) H01L 29/739 (2006.01)

Patent

CA 2567070

MOS channel devices and methods of fabricating such devices having a hybrid channel are provided. Exemplary devices include vertical power MOSFETs that include a hybrid well region of silicon carbide, i.e. a well region of a silicon carbide device including both epitaxially formed regions and implanted regions and methods of fabricating such devices are provided. The hybrid well region may include an implanted p-type silicon carbide well portion in a p- type silicon carbide epitaxial layer, an implanted p-type silicon carbide contact portion that contacts the implanted p-type silicon carbide well portion and extends to a surface of the p-type epitaxial layer and/or an epitaxial p-type silicon carbide portion, at least a portion of the epitaxial p-type silicon carbide well portion corresponding to a p-type channel region of the MOSFET.

L'invention concerne des dispositifs à canaux MOS et des procédés de fabrication desdits dispositifs présentant un canal hybride. Des dispositifs exemplaires comprennent des MOSFET de puissance verticale présentant une région de puits hybride en carbure de silicium, c'est-à-dire une région de puits d'un dispositif en carbure de silicium comprenant à la fois des régions formées par épitaxie et des régions implantées. La région de puits hybride peut comprendre une partie de puits implantée en carbure de silicium de type p dans une couche épitaxiale de carbure de silicium de type p; et une partie de contact implantée en carbure de silicium de type p qui vient au contact de la partie de puits implantée en carbure de silicium de type p et s'étend à une surface de la couche épitaxiale de type p et/ou à une partie épitaxiale en carbure de silicium de type p, au moins une partie de la partie de puits épitaxiale en carbure de silicium de type p correspondant à une région de canal de type p du MOSFET.

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