Spin-torque magnetoresistive structures with bilayer free layer

Details Spin-torque magnetoresistive structures with bilayer free layer Spin-torque magnetoresistive structures with bilayer free layer

G - Physics

11

C

G11C 11/16 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01)

Patent

CA 2757477

Magnetoresistive structures, devices, memories, and methods for forming the same are presented. For example, a magnetoresistive structure includes a ferromagnetic layer, a ferrimagnetic layer coupled to the ferromagnetic layer, a pinned layer and a nonmagnetic spacer layer. A free side of the magnetoresistive structure comprises the ferromagnetic layer and the ferrimagnetic layer. The nonmagnetic spacer layer is at least partly between the free side and the pinned layer. A saturation magnetization of the ferromagnetic layer opposes a saturation magnetization of the ferrimagnetic layer. The nonmagnetic spacer layer may include a tunnel barrier layer, such as one composed of magnesium oxide (MgO), or a nonmagnetic metal layer.

La présente invention concerne des structures, dispositifs, mémoires magnétorésistifs, ainsi que leurs procédés de formation. Par exemple, une structure magnétorésistive comporte une couche ferromagnétique, une couche ferrimagnétique couplée à la couche ferromagnétique, une couche piégée et une couche intercalaire non magnétique. Un côté libre de la structure magnétorésistive comporte la couche ferromagnétique et la couche ferrimagnétique. La couche intercalaire non magnétique est placée au moins en partie entre le côté libre et la couche piégée. Une magnétisation à saturation de la couche ferromagnétique s'oppose à une magnétisation à saturation de la couche ferrimagnétique. La couche intercalaire non magnétique peut comprendre une couche barrière tunnel, par exemple une couche constituée d'oxyde de magnésium (MgO), ou une couche métallique non magnétique.

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