C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/34 (2006.01) C23C 14/00 (2006.01) C23C 14/04 (2006.01) H01J 37/34 (2006.01)
Patent
CA 2164975
The substantially non-collimating aperture plate (30) contains a plurality of apertures (32) which intercept a percentage of sputter particles (22) while allowing other sputter particles to be deposited upon the substrate (16). The rate of deposition achieved by the aperture plate (30) is less than the rate of sputtering so that the target (12) may be sputtered at a sufficiently higher rate to reduce the formation of a reactant film on the sputter target while the deposition rate is sufficiently low to allow adequate reaction between a reactive gas and sputter particles (22) to form the desired reactant film (27) on the substrate (16). The apertures (32) have different aspect ratios or different densities in various different regions (54, 58) of the plate (30) to achieve various different deposition rates in different areas of the substrate (16). The aspect ratios of the apertures (32) may be selectively varied to achieve a more uniform film thickness or a film (27) of selectively varied thicknesses.
Cette plaque à ouvertures pratiquement non colimatrice (30) contient une pluralité d'ouvertures (32) interceptant un certain pourcentage des particules de pulvérisation cathodique (22) tout en permettant le dépôt des autres particules sur le substrat (16). La vitesse de dépôt atteinte par ladite plaque à ouvertures (30) est inférieure à une vitesse de pulvérisation de sorte que la cible (12) puisse être pulvérisée à une vitesse suffisamment supérieure pour réduire la formation d'un film de réactant sur la cible de pulvérisation cathodique alors que la vitesse de dépôt est suffisamment faible pour permettre une réaction adéquate entre un gaz réactif et les particules de pulvérisation cathodique (22) et former le film de réactant (27) voulu sur le substrat (16). Les ouvertures (32) présentent différents rapports dimensionnels, ou différentes densités dans diverses zones (54, 58) de la plaque (30), ce qui permet d'obtenir différentes vitesses de dépôt dans différentes zones du substrat (16). Les rapports dimensionnels des ouvertures (32) peuvent être modifiés sélectivement de manière à obtenir une épaisseur de film plus homogène ou un film (27) de différentes épaisseurs sélectionnées.
Hurwitt Steven D.
Wagner Israel
Macrae & Co.
Tokyo Electron Limited
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1490018