C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/36 (2006.01) C23C 14/14 (2006.01) C23C 16/24 (2006.01) C30B 33/02 (2006.01) C30B 33/10 (2006.01)
Patent
CA 2583683
A method of surface reconstruction for silicon carbide substrate (1), comprising the silicon film formation step of forming silicon film (2) on a surface of the silicon carbide substrate (1) and the heat treatment step of carrying out heat treatment of the silicon carbide substrate (1) and silicon film (2) without disposing of a polycrystalline silicon carbide substrate on the surface of the silicon film (2). After the heat treatment step, there may be carried out the silicon film removal step of removing the silicon film (2). Further, after the heat treatment step, there may be carried out the silicon oxide film formation step of oxidizing the silicon film (2) into a silicon oxide film and the silicon oxide film removal step of removing the silicon oxide film.
La présente invention concerne un procédé de reconstruction de la surface d'un substrat en carbure de silicium (1), comportant une étape de formation de film de silicium consistant en la formation d'un film de silicium (2) sur une surface du substrat en carbure de silicium (1) et une étape de traitement thermique consistant en un traitement thermique du substrat en carbure de silicium (1) et du film de silicium (2) sans retirer le substrat en carbure de silicium polycristallin sur la surface du film de silicium (2). Après l'étape de traitement thermique, une étape de retrait du film de silicium consistant à retirer ledit film de silicium (2) peut être réalisée. Ensuite, après l'étape de traitement thermique, l'étape de formation d'un film d'oxyde de silicium consistant à oxyder le film de silicium (2) pour produire un film d'oxyde de silicium et l'étape de retrait du film d'oxyde de silicium consistant à retirer le film d'oxyde de silicium peuvent être réalisées.
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1342736