H - Electricity – 01 – G
Patent
H - Electricity
01
G
H01G 4/33 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/82 (2006.01) H01L 27/108 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/314 (2006.01)
Patent
CA 2163130
A silicone nitride barrier layer (12) is deposited on a gallium arsenide substrate (11) to prevent evaporation of the substrate in subsequent heating steps. A silicon dioxide stress reduction layer (14) is deposited on the barrier layer. A first electrode (16) comprising an adhesion layer (18) and a second layer (20) is formed on the stress reduction layer. An essentially anhydrous alkoxycarboxylate liquid precursor is prepared, just before use a solvent exchange step is performed, then the precursor is spun on the first electrode, dried at 400 °C, and annealed at between 600 °C and 850 °C to form a BST capacitor dielectric (22). A second electrode (24) is deposited on the dielectric and annealed.
On dépose une couche barrière de nitrure de silicium (12) sur un substrat d'arséniure de gallium (11), afin d'empêcher l'évaporation du substrat pendant les étapes ultérieures de réchauffement. On dépose une couche de réduction de contrainte en dioxyde de silicium (14) sur la couche barrière. On forme sur la couche de réduction de contrainte une première électrode (16) comprenant une couche d'adhérence (18) et une deuxième couche (20). On prépare un précurseur liquide d'alcoxycarboxylate essentiellement anhydre, on réalise une étape d'échange de solvant préalablement à l'utilisation, puis on dépose le précurseur par rotation sur la première électrode, on le sèche à 400 ~C et on le recuit à une température située entre 600 ~C et 850 ~C, afin d'obtenir un isolant (22) de condensateur BST. On dépose une deuxième électrode (24) sur l'isolant diélectrique et on la recuit.
Azuma Masamichi
Paz de Araujo Carlos A.
Scott Michael C.
Ueda Toshiyuki
Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
Matsushita Electronics Corporation
Smart & Biggar
Symetrix Corporation
LandOfFree
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