H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 3/16 (2006.01) H01S 3/042 (2006.01) H01S 3/06 (2006.01) H01S 3/0941 (2006.01) H01S 3/04 (2006.01)
Patent
CA 2225982
The present invention provides a solid state laser gain medium 28 comprising: (a) a gain layer 30 having pump regions 32 and first and second contact regions 34 and 36, respectively; (b) a first transparent layer 38 optically connected to the first contact region 34 of the gain layer 30 by diffusion bonding; and (c) a second transparent layer 40 optically connected to the second contact region 36 of the gain layer 30 by diffusion bonding. The transparent layers 38 and 40 are transparent to the lasing wavelength of the gain medium 28. The present invention also provides an apparatus for amplifying laser light, comprising: (a) a solid state, slab geometry gain medium 44 having lateral pump faces 46 and a principal radiation absorption axis C; and (b) an excitation mechanism 48 located along the pump faces 46 of the gain medium 44 for generating polarized light along G polarization axis 52 wherein the polarization axis 52 is parallel with the principal absorption axis C of the gain medium 44 to provide increased radiation absorption. The present invention- also provides a cooling system 58 for a solid state gain medium 60 generating laser output laser emission at a wavelength from about 2 µm to about 3 µm. The cooling system 58 including G coolant material such as D20 for reducing absorption of laser emissions by the coolant at wavelengths from about 2 µm to about 3 µm.
La présente invention est un milieu d'amplification pour un laser à semi-conducteur 28 comportant a) un couche d'amplification 30 ayant des régions de pompage 32 et une première et une seconde région de contact 34 et 36, b) une première couche transparente 38 optiquement soudée par diffusion à la première région de contact 34 de la couche d'amplification 30, et c) une seconde couche transparente 40 optiquement soudée par diffusion à la seconde région de contact 36 de la couche d'amplification 30. Les couches 38 et 40 sont transparentes à la longueur d onde de la lumière émise par le milieu d'amplification 28. Un appareil d'amplification de la lumière laser est également divulgué dans la présente invention. Cet appareil comprend a) un milieu d'amplification 44 constitué d'un semi-conducteur ayant la forme d'un barreau, ce milieu ayant des faces de pompage latérales 46 et un axe principal d'absorption du rayonnement C, et b) un mécanisme d'excitation 48 le long des faces de pompage 46 du milieu d'amplification 44 servant à produire de la lumière polarisée dans la direction d'un axe de polarisation 52 parallèle à l'axe principal d'absorption du rayonnement C du milieu d'amplification 44 pour accroître l'absorption du rayonnement. La présente invention comporte également un système de refroidissement 58 pour un milieu d'amplification à semi-conducteur qui produit un faisceau laser à une longueur d'onde allant de 2 µm environ à 3 µm environ. Ce système de refroidissement 58 contient un agent réfrigérant tel que D20 pour réduire l'absorption du rayonnement laser aux longueurs d'onde allant de 2 µm environ à 3 µm environ.
Berg Jacqueline G.
Injeyan Hagop
Gowling Lafleur Henderson Llp
Northrop Grumman Corporation
Trw Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1606248