G - Physics – 02 – F
Patent
G - Physics
02
F
G02F 1/015 (2006.01) G02F 1/017 (2006.01)
Patent
CA 2218262
A wideband semiconductor electro-absorption optical modulator including a semiconductor core shorter in absorption-peak wavelength than a wavelength of optical signal, and an electrode for applying an electric signal to absorb the optical signal by shifting the absorption-peak wavelength to a long wavelength region when a voltage is applied, wherein an electric signal input port and an electric signal output port are disposed so that the electrode is constructed in the form of a traveling-wave electrode, and a total thickness of non-doped layers including the semiconductor core is reduced to decrease a driving voltage. Degradation of optical modulation bandwidth and reflection characteristics of the electric signal caused by mismatching of characteristic impedance to an outer circuit are reduced by decreasing an interaction length of the electric signal and the optical signal. Further, mismatching of characteristic impedance is corrected by adjusting a doping concentration of a p-type or n-type doped layer located above or beneath the semiconductor core.
L'invention est un modulateur optique à électroabsorption large bande comportant un noyau semi-conducteur dont la longueur d'onde du pic d'absorption est plus courte que celle du signal lumineux, et une électrode servant à appliquer un signal électrique pour absorber ce signal lumineux en déplaçant le pic d'absorption à une plus grande longueur d'onde quand une tension est appliquée. Dans ce modulateur, les ports d'entrée et de sortie du signal électrique sont disposés de façon que l'électrode ait la forme d'une électrode à ondes progressives et l'épaisseur totale des couches non dopées , noyau semi-conducteur y compris, est réduite pour abaisser la tension d'attaque. La dégradation de la bande de modulation optique et des caractéristiques de réflexion du signal électrique qui résulte de l'inadaptation d'impédance avec le circuit extérieur est atténuée par la réduction de la longueur d'interaction du signal électrique et du signal lumineux. De plus, l'inadaptation d'impédance est corrigée par un ajustement de la concentration de dopage de type p ou n de la couche qui se trouve au-dessus ou au-dessous du noyau semi-conducteur.
Blake Cassels & Graydon Llp
Nippon Telegraph And Telephone Corporation
LandOfFree
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