H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/12 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
Patent
CA 2668862
This invention provides a silicon carbide semiconductor device having excellent operating characteristics and a process for producing the same. A covering film (M1) formed of silicon is formed on an initial grown layer (11) provided on a 4H-SiC substrate (10), and an enlarged terrace face (15A) is formed on an area covered with the covering film (M1). Next, the covering film (M1) is removed, and a newly grown layer is epitaxially grown on the initial grown layer (11). In this case, a 3C-SiC part (21a) formed of a 3C-SiC crystal of a polytype having low-temperature stability is grown on the enlarged terrace face (15A) in the initial grown layer (11). The provision of a channel region such as MOSFET in the 3C-SiC part (21a) having a small bandgap can improve the channel mobility as a result of a reduction in interfacial level and thus can realize the production of a silicon carbide semiconductor device having excellent operating characteristics.
Cette invention propose un dispositif semi-conducteur de carbure de silicium ayant d'excellentes caractéristiques de fonctionnement et un procédé pour fabriquer celui-ci. Un film de couverture (M1) formé de silicium est formé sur une couche développée initiale (11) disposée sur un substrat 4H-SiC (10), et une face en terrasse agrandie (15A) est formée sur une zone couverte par le film de couverture (M1). Ensuite, le film de couverture (M1) est enlevé, et une couche nouvellement développée est développée de façon épitaxiale sur la couche développée initiale (11). Dans ce cas, une partie 3C-SiC (21a) formée d'un cristal 3C-SiC d'un polytype présentant une caractéristique de stabilité à température faible est développée sur la face en terrasse agrandie (15A) dans la couche développée initiale (11). La fourniture d'une région de canal telle que MOSFET dans la partie 3C-SiC (21a) ayant une petite largeur de bande interdite peut améliorer la mobilité du canal en tant que résultat d'une réduction du niveau interfacial et peut ainsi effectuer la production d'un dispositif semi-conducteur de carbure de silicium ayant d'excellentes caractéristiques de fonctionnement.
Harada Shin
Masuda Takeyoshi
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1853744