Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate

Details Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate

H - Electricity

01

L

H01L 21/338 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)

Patent

CA 2564424

Disclosed is a group III nitride semiconductor device wherein leakage current from a Schottky electrode is reduced. In a high-electron-mobility transistor (11), a supporting substrate (13) is specifically composed of AlN, AlGaN and GaN. An AlYGa1-YN epitaxial layer (15) has a full width at half maximum of the (0002) plane XRD of not more than 150 sec. A GaN epitaxial layer (17) is formed between the gallium nitride supporting substrate and the AlYGa1-YN epitaxial layer (0 < Y <= 1). A Schottky electrode (19) is formed on the AlYGa1-YN epitaxial layer (15), and this Schottky electrode (19) is a gate electrode of the high-electron-mobility transistor (11). A source electrode (21) is formed on the gallium nitride epitaxial layer (15), and a drain electrode (23) is also formed on the gallium nitride epitaxial layer (15).

La présente invention décrit un dispositif semi-conducteur au nitrure du groupe III dans lequel un courant de fuite provenant d~une électrode Schottky est réduit. Dans un transistor à mobilité électronique élevée (11), un substrat de support (13) est spécifiquement composé de AlN, AlGaN et GaN. Une couche épitaxiale de AlYGa1-YN (15) présente un pleine largeur à la moitié du maximum du plan XRD (0002) n~étant pas supérieure à 150 s. Une couche épitaxiale de GaN (17) est formée entre le substrat soutenant le nitrure de gallium et la couche épitaxiale de AlYGa1-YN (0 < Y <= 1). Une électrode Schottky (19) est formée sur la couche épitaxiale de AlYGa1-YN (15) et cette électrode Schottky (19) est une électrode de grille dudit transistor (11). Une électrode de source (21) est formée sur la couche épitaxiale de nitrure de gallium (15) et une électrode de drain (23) est également formée sur la couche épitaxiale de nitrure de gallium (15).

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