Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate

Details Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate

H - Electricity

01

L

H01L 21/338 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)

Patent

CA 2564423

Disclosed is a group III nitride semiconductor device wherein leakage current from a Schottky electrode is reduced. In a high-electron-mobility transistor (1), a supporting substrate (3) is composed of AlN, AlGaN and GaN. An AlYGa1- YN epitaxial layer (5) has a surface roughness (Rms) of not more than 0.25 nm, and this surface roughness is defined by a 1 µm square area. A GaN epitaxial layer (7) is formed between the AlYGa1-YN supporting substrate (3) and the AlYGa1-YN epitaxial layer (5). A Schottky electrode (9) is formed on the AlYGa1-YN epitaxial layer (5). A first ohmic electrode (11) is formed on the AlYGa1-YN epitaxial layer (5), and a second ohmic electrode (13) is formed on the AlYGa1-YN epitaxial layer (5). One of the first and second ohmic electrodes (11, 13) is a source electrode, and the other is a drain electrode. The Schottky electrode (9) is a gate electrode of the high-electron-mobility transistor (1).

L~invention concerne un dispositif semi-conducteur de nitrure de groupe III où le courant de fuite provenant d~une électrode Schottky est réduit. Dans un transistor à forte mobilité électronique (1), un substrat support (3) est composé d~AlN, d~AlGaN et de GaN. Une couche épitaxiale AlYGa1-YN (5) a une rugosité de surface (Rms) ne dépassant pas 0,25 nm, et cette rugosité de surface est définie par une superficie de 1 µm. Une couche épitaxiale GaN (7) est formée entre le substrat support AlYGa1-YN (3) et la couche épitaxiale AlYGa1-YN (5). Une électrode Schottky (9) est formée sur la couche épitaxiale AlYGa1-YN (5). Une première électrode ohmique (11) est formée sur la couche épitaxiale AlYGa1-YN (5), et une seconde électrode ohmique (13) est formée sur la couche épitaxiale AlYGa1-YN (5). L~une de la première et de la seconde électrodes ohmiques (11, 13) est une électrode de source, et l~autre est une électrode de drain. L~électrode Schottky (9) est une électrode de grille du transistor à forte mobilité électronique (1).

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