B - Operations – Transporting – 81 – B
Patent
B - Operations, Transporting
81
B
B81B 1/00 (2006.01) B05B 5/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01)
Patent
CA 2374666
Three fundamental and three derived aspects of the present invention are disclosed. The three fundamental aspects each disclose a process sequence that may be integrated in a full process. The first aspect, designated as "latent masking", defines a mask in a persistent material like silicon oxide that is held abeyant after definition while intervening processing operations are performed. The laten oxide pattern is then used to mask an etch. The second aspect, designated as "<u>s</u>imultaneous <u>m</u>ult<u>i</u>-<u>l</u>evel <u>e</u>tching (SMILE)", provides a process sequence wherein a first pattern may be given an advanced start relative to a second pattern in etching into an underlying material, such that the first pattern may be etched deeper, shallower, or to the same depth as the second pattern. The third aspect, designated as "delayed LOCOS", provides a means of defining a contact hole pattern at one stage of a process, then using the defined pattern at a later stage to open the contact holes. The fourth aspect provides a process sequence that incorporates all three fundamental aspects to fabricate an integrated liquid chromatography (LC)/electrospray ionization (ESI) device. The fifth aspect provides a process sequence that incorporates two of the fundamental aspects to fabricate an ESI device. The sixth aspect provides a process sequence that incorporates two of the fundamental aspects to fabricate an LC device. The process improvements described provide increased manufacturing yield and design latitude in comparison to previously disclosed methods of fabrication.
L'invention porte sur trois aspects fondamentaux et trois aspects dérivés. Les trois aspects fondamentaux concernent chacun sur une séquence de procédé qui peut être intégrée à un procédé complet. Le premier aspect, appelé "masquage latent", définit un masque dans un matériau à persistance, tel que l'oxyde de silicium, que l'on laisse en attente après définition, alors que l'on réalise des opérations de traitement intermédiaires. Le motif d'oxyde latent sert ensuite à masquer une attaque chimique. Le second aspect, appelé "gravure multi-niveau simultanée (SMILE)", comprend une séquence de traitement au cours de laquelle on peut commencer à graver un premier motif plus tôt qu'un second motif, lors de la gravure dans un matériau sous-jacent, de manière que le premier motif puisse être gravé plus en profondeur, ou à la même profondeur que le second motif. Le troisième aspect, appelé "LOCOS retardé", concerne des moyens permettant de définir un motif d'orifices de contact au cours d'une étape du procédé, puis d'utiliser le motif défini au cours d'une étape ultérieure pour ouvrir les orifices de contact. Le quatrième aspect concerne une séquence de traitement englobant les trois aspects fondamentaux en vue de la fabrication d'un dispositif intégré de chromatographie liquide/ionisation par électronébulisation. Le cinquième aspect concerne une séquence de traitement comprenant deux des aspects fondamentaux pour la fabrication d'un dispositif d'ionisation par électronébulisation. Le sixième aspect concerne une séquence de traitement reprenant deux des aspects fondamentaux pour la fabrication d'un dispositif de chromatographie liquide. Au regard des procédés de fabrication antérieurs, les améliorations apportées audit procédé permettent d'obtenir un meilleur rendement de production et une certaine latitude dans la conception.
Davis Timothy J.
Galvin Gregory J.
Moon James E.
Shaw Kevin A.
Waldrop Paul C.
Kionix Inc.
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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