C - Chemistry – Metallurgy – 03 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
03
B
C03B 20/00 (2006.01) C03B 19/14 (2006.01) C03C 1/02 (2006.01) C03C 3/06 (2006.01)
Patent
CA 2230976
A method is disclosed for forming a GeO2-doped SiO2 glass article by depositing glass particles to form a porous preform and then drying and sintering the porous preform. A precursor of SnO2 is also present in the reactant stream used to form the particles, whereby the reaction produces particles of glass that contain GeO2, SiO2 and SnO2. The presence of SnO2 in the particles reduces the reaction of GeO2 with chlorine to form GeCl4 during the drying step. The GeC14 that would have formed would have either escaped from the porous preform or caused GeO2 to be re-deposited in an undesirable portion of the preform. The retention of GeO2 in the article is therefore enhanced.
Le procédé faisant l'objet de cette invention sert à former un article en verre au SiO¿2? dopé par GeO¿2? en déposant des particules de verre, afin de former une préforme poreuse, puis en séchant et en frittant cette préforme poreuse. Un précurseur de SnO¿2? est également présent dans le flux de réactifs utilisés pour former les particules, pour que la réaction produise des particules de verre qui contiennent GeO¿2?, SiO¿2? et SnO¿2?. La présence de SnO¿2? dans les particules réduit la réaction de GeO¿2? avec le chlore pour former GeCl¿4? pendant l'étape de séchage. Le GeCl¿4? qui se serait formé soit ce serait échappé de la préforme poreuse soit aurait amené GeO¿2? à se redéposer dans une partie indésirable de la préforme. La rétention de GeO¿2? dans l'article en verre est par conséquent accrue.
Burke Gerald E.
Truesdale Carlton M.
Corning Incorporated
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1416705