Light-emitting device

Details Light-emitting device Light-emitting device

H - Electricity

01

L

H01L 29/24 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2509785

A light-emitting device is disclosed which can be produced easily because of its simple structure and is capable of stably maintaining high luminous efficiency for a long time. The light-emitting device comprises, on the side of a first major surface of a nitride semiconductor substrate (1), an n-type nitride semiconductor layer (2), a p-type nitride semiconductor layer (6) placed farther than the n-type nitride semiconductor layer (2) from the nitride semiconductor substrate (1), and a light-emitting layer (4) arranged between the n-type nitride semiconductor layer (2) and the p-type nitride semiconductor layer (6). The nitride semiconductor substrate has a resistivity of not more than 0.5 .OMEGA..cndot.cm. The light-emitting device is mounted with the p-type nitride semiconductor layer side down, so that light is emitted through a second major surface (1a) of the nitride semiconductor substrate which is opposite to the first major surface.

Cette invention se rapporte à un dispositif photo-émetteur, qui peut être produit facilement en raison de sa structure simple et qui est capable d'assurer de façon stable un rendement lumineux élevé sur une longue période. Ce dispositif photo-émetteur comprend, du côté d'une première surface principale d'un substrat de semi-conducteur au nitrure (1), une couche de semi-conducteur au nitrure de type n (2), une couche de semi-conducteur au nitrure de type p (6) placée plus loin que la couche de semi-conducteur au nitrure de type n (2) par rapport au substrat de semi-conducteur au nitrure (1), et une couche photo-émettrice (4) placée entre la couche de semi-conducteur au nitrure de type n (2) et la couche de semi-conducteur au nitrure de type p (6). Le substrat de semi-conducteur au nitrure présente une résistivité ne dépassant pas 0,5 .OMEGA.xcm. Le montage de ce dispositif photo-émetteur s'effectue avec la couche de semi-conducteur au nitrure de type p tournée vers le bas, pour que la lumière soit émise à travers une seconde surface principale (1a) du substrat de semi-conducteur au nitrure qui est opposée à la première surface principale.

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