Mems device with integrated via and spacer

B - Operations – Transporting – 81 – C

Patent

Rate now

  [ 0.00 ] – not rated yet Voters 0   Comments 0

Details

B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01)

Patent

CA 2752746

A MEMS device and fabrication method are disclosed. A bottom substrate having an insulating layer sandwiched between an upper layer and a lower layer may be bonded to a device layer. One or more portions of the upper layer may be selectively removed to form one or more device cavities. Conductive vias may be formed through the lower layer at locations that underlie the one or more device cavities and electrically isolated from the lower layer. Devices may be formed from the device layer. Each device overlies a corresponding device cavity. Each device may be connected to the rest of the device layer by one or more corresponding hinges formed from the device layer. One or more electrical contacts may be formed on a back side of the lower layer. Each contact is electrically connected to a corresponding conductive via.

L'invention porte sur un dispositif de système microélectromécanique (MEMS) et sur un procédé de fabrication. Un substrat inférieur comprenant une couche isolante prise en sandwich entre une couche supérieure et une couche inférieure peut être lié à une couche de dispositif. Une ou plusieurs parties de la couche supérieure peuvent être sélectivement retirées pour former une ou plusieurs cavités de dispositif. Des trous d'interconnexion conducteurs peuvent être formés à travers la couche inférieure à des emplacements qui se trouvent au-dessous de la ou des cavités de dispositif et électriquement isolés de la couche inférieure. Des dispositifs peuvent être formés à partir de la couche de dispositif. Chaque dispositif se trouve au-dessus d'une cavité de dispositif correspondante. Chaque dispositif peut être connecté au reste de la couche de dispositif par une ou plusieurs charnières correspondantes formées à partir de la couche de dispositif. Un ou plusieurs contacts électriques peuvent être formés sur un côté arrière de la couche inférieure. Chaque contact est électriquement connecté à un trou d'interconnexion conducteur correspondant.

LandOfFree

Say what you really think

Search LandOfFree.com for Canadian inventors and patents. Rate them and share your experience with other people.

Rating

Mems device with integrated via and spacer does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Mems device with integrated via and spacer, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Mems device with integrated via and spacer will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

     

Profile ID: LFCA-PAI-O-1865616

  Search
All data on this website is collected from public sources. Our data reflects the most accurate information available at the time of publication.