B - Operations – Transporting – 81 – C
Patent
B - Operations, Transporting
81
C
B81C 1/00 (2006.01) B81C 3/00 (2006.01)
Patent
CA 2500359
A method for forming a microstructure from a substrate is provided. The method includes providing a monocrystalline substrate having a (100) orientation and subjecting a first portion of the substrate to ion bombardment to effect ion implantation to a desired penetration depth. A second portion of the substrate is etched to a depth at least as great as the desired penetration depth. The substrate then is thermally treated to form a microstructure at a surface of the substrate and to effect at least partial separation between the microstructure and the substrate.
La présente invention concerne un procédé de formation de microstructure à partir d'un substrat. Ce procédé consiste à prendre un substrat monocristallin possédant une (100) orientation et à soumettre une première partie de ce substrat à un bombardement ionique de façon à effectuer une implantation d'ions à une épaisseur de pénétration souhaitée. Une seconde partie de ce substrat est attaquée à une épaisseur au moins aussi grande que l'épaisseur de pénétration souhaitée. Puis ce substrat est thermiquement traité de façon à former une microstructure sur une surface de ce substrat et de façon à effectuer au moins une séparation partielle entre cette microstructure et le substrat.
Danzl Ralph B.
Mattes Michael F.
Medtronic Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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