B - Operations – Transporting – 81 – B
Patent
B - Operations, Transporting
81
B
B81B 3/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) H04R 19/00 (2006.01) H04R 19/04 (2006.01) H04R 31/00 (2006.01)
Patent
CA 2340059
The invention relates to a micromechanical sensor and to a corresponding production method, comprising the following steps: a) preparing a doped semiconductor wafer (4); b) applying an epitaxial layer (1) that is doped in such a way that a jump in the charge carrier density in the interface (11) between the semiconductor wafer and the epitaxial layer occurs; c) optionally etching ventilation holes (2) traversing the epitaxial layer and optionally filling the ventilation holes with a sacrificial material; d) depositing at least one sacrificial layer (9), at least one spacing layer (10), a membrane (5) and optionally a semiconductor circuit (8) on the top side of the epitaxial layer using a technology known per se, wherein the semiconductor circuit may be applied after the membrane is formed or while depositing the layers required to form the membrane; e) etching a hole (6) on the back part of the sensor, wherein the etching method is selected in such a way that etching advances in the direction of the top side and ceases in the interface between the wafer (4) and the epitaxial layer (1) by changing charge carrier concentration. The invention also relates to the utilization of the micromechanical sensor in pressure sensors or microphones.
L'invention concerne un capteur micromécanique et son procédé deproduction, lequel comprend les étapes suivantes: a) préparationd'une tranche de semi-conducteur (4) dopée; b) application d'unecouche épithaxiale (1) qui est dopée de façon telle qu'à l'interface (11) entre la tranche de semi-conducteur et la couche épitaxiale se présente une discontinuité dans la densité des porteurs de charge; c) éventuellement, création par attaque d'ouvertures deventilation (2) qui traversent la couche épitaxiale et, éventuellement, remplissage des ouvertures de ventilation avec un matériau sacrificiel; d) application d'au moins une couche sacrificielle (9), d'au moins une couche d'espacement (10), d'une membrane (5) et, éventuellement, d'un circuit à semi-conducteur (8), selon une technologie connue en soi, sur la face supérieure de la couche épitaxiale, le circuit à semi-conducteur pouvant être appliquéaprès formation de la membrane ou pendant l'application des couches nécessaires à la formation de la membrane; e) création par attaque d'une ouverture (6) sur la face arrière du capteur, le procédé d'attaque étant choisi de façon telle que le processus d'attaque se produise en direction de la face supérieure et s'arrête à l'interface entre la tranche (4) et la couche épithaxiale (1) parmodification de la concentration des porteurs de charge. L'invention concerne également l'utilisation du capteur micromécanique dans des capteurs de pression ou dans des microphones.
Aigner Robert
Bever Thomas
Timme Hans-Jorg
Fetherstonhaugh & Co.
Infineon Technologies Ag
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1417923