Plasma etch reactor and method for emerging films

Details Plasma etch reactor and method for emerging films Plasma etch reactor and method for emerging films

H - Electricity

01

L

H01L 21/3065 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01) H05H 1/00 (2006.01) H05H 1/32 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)

Patent

CA 2259973

A plasma etch reactor (20) includes a reactor chamber (22) with a grounded upper electrode (24), a lower electrode (28) which is attached to a high frequency power supply (30) and a low frequency power supply (32), and a peripheral electrode (26) which is located between the upper and lower electrode, and which is allowed to have a floating potential. Rare earth magnets (46, 47) are used to establish the magnetic field which confines the plasma developed within the reactor chamber (22). The plasma etch reactor (20) is capable of etching emerging films used with high density semiconductor devices.

Un réacteur d'attaque au plasma (20) comporte une chambre (22) possédant une électrode supérieure (24) mise à la terre, une électrode inférieure (28) fixée à une alimentation électrique haute fréquence (30) et à une alimentation électrique basse fréquence (32), et une électrode périphérique (26) qui est située entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure et présente un potentiel flottant. Des aimants en terres rares (46, 47) sont utilisés pour établir le champ magnétique qui confine le plasma développé au sein de la chambre de réacteur (22). Ce réacteur d'attaque au plasma (20) permet l'attaque de couches saillantes utilisées avec des dispositifs semi-conducteurs haute densité.

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