H - Electricity – 03 – B
Patent
H - Electricity
03
B
H03B 5/32 (2006.01) H03K 3/03 (2006.01) H03L 1/02 (2006.01)
Patent
CA 2192987
The present invention relates to a crystal oscillation apparatus and a method of adjusting the same, and aims to downsize semiconductor IC containing memory and control circuits, hence reduces the power consumption. The invented apparatus comprises a crystal oscillating circuit, a frequency adjusting element electrically coupled with the crystal oscillating circuit, and a control circuit for controlling voltage to be applied to the frequency adjusting element; wherein said control circuit comprises a temperature sensor(30), a temperature detecting section(32) electrically coupled with the temperature sensor(30), a memory device(36) electrically coupled with the temperature detecting section(32), an amplifier(31) to which the memory device(36) and said temperature sensor(30) are electrically coupled, a first D/A converter(38) electrically intervening between said memory device(36) and temperature detection section(32), a second D/A converter(37) electrically intervening between said memory device(36) and amplifier(31 ); said memory device(36) comprises actually- operative control voltage setting groups counting not more than 8 units, each of the control voltage setting groups has in the memory a temperature detection data, amplitude setting data and an offset voltage data.
Dispositif oscillateur à quartz comportant un circuit intégré semi-conducteur de petite dimension comprenant une mémoire et un circuit de commande et absorbant une faible énergie. Ce dispositif oscillateur à quartz est pourvu d'un oscillateur à quartz, d'un élément de réglage de fréquence relié éléctriquement à l'oscillateur et d'un circuit de commande qui commande la tension appliquée à l'élément de réglage de la fréquence. Le circuit de commande comprend un capteur de température (30), une zone de détection de température (32) reliée électriquement au capteur (30), une mémoire (36) reliée électriquement à la zone de détection de température (32), une partie d'amplification (31) reliée électriquement à la mémoire (35) et au capteur (36), une première partie de conversion numérique/analogique, électriquement reliée entre la mémoire (36) et la zone de détection (32) et une deuxième partie de conversion numérique/analogique (37) reliée électroniquement entre la mémoire (36) et la partie amplification (31). La mémoire (36) comporte huit groupes de réglage de la tension de commande fonctionnant effectivement, et chacun de ces groupes stocke des données sur la mesure de la température, des données sur l'établissement du degré d'amplification et des données sur la tension de supression.
Maeda Chikao
Mizukoshi Ryuji
Mochida Yoshihisa
Muto Masaki
Fetherstonhaugh & Co.
Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
LandOfFree
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