B - Operations – Transporting – 81 – C
Patent
B - Operations, Transporting
81
C
B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) G01D 5/00 (2006.01) G01P 15/00 (2006.01) H01L 21/64 (2006.01)
Patent
CA 2761028
Methods of fabricating semiconductor sensor devices include steps of fabricating a hermetically sealed MEMS cavity enclosing a MEMS sensor, while forming conductive vias through the device. The devices include a first semi-conductor layer defining at least one conductive via lined with an insulator and having a lower insulating surface; a central dielectric layer above the first semiconductor layer; a second semiconductor layer in contact with the at least one conductive via, and which defines a MEMS cavity; a third semiconductor layer disposed above the second semiconductor layer, and which includes a sensor element aligned with the MEMS cavity; a cap bonded to the third semiconductor to enclose and hermetically seal the MEMS cavity; wherein the third semiconductor layer separates the cap and the second semiconductor layer.
L'invention concerne des procédés de fabrication de dispositifs de capteur à semi-conducteurs, qui consistent à fabriquer une cavité MEMS fermée hermétiquement qui enferme un capteur MEMS, tout en formant des trous d'interconnexion conducteurs à travers le dispositif. Le dispositif comprend une première couche semi-conductrice définissant au moins un trou d'interconnexion conducteur garnie d'un isolateur et dotée d'une surface inférieur isolante ; une couche diélectrique centrale disposée au-dessus de la première couche semi-conductrice ; une deuxiéme couche semi-conductrice en contact avec le trou d'interconnexion conducteur, et qui définit une cavité MEMS ; une troisième couche semi-conductrice disposée au-dessus de la deuxième couche semi-conductrice, et qui comprend un élément de capteur aligné avec la cavité MEMS ; et un bouchon relié à la troisième couche semi-conductrice pour entourer et fermer hermétiquement la cavité MEMS ; la troisième couche semi-conductrice séparant le bouchon de la deuxième couche semi-conductrice.
Akhlaghi Esfahany Siamak
Loke Yan
Bennett Jones Llp
Micralyne Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1558973