Semiconductor device

Details Semiconductor device Semiconductor device

H - Electricity

01

L

H01L 29/12 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)

Patent

CA 2761245

Disclosed is a MOSFET (100) which is a semiconductor device that can be reduced in the on-resistance, while being suppressed in the occurrence of stacking faults due to a heat treatment during the device production process. The MOSFET (100) comprises a silicon carbide substrate (1), an active layer (7) that is formed from single crystal silicon carbide and arranged on one main surface of the silicon carbide substrate (1), a source contact electrode (92) that is arranged on the active layer (7), and a drain electrode (96) that is formed on the other main surface of the silicon carbide substrate (1). The silicon carbide substrate (1) contains a base layer (10) that is formed from silicon carbide and an SiC layer (20) that is formed from single crystal silicon carbide and arranged on the base layer (10). The impurity concentration of the base layer (10) is higher than 2 × 1019 cm-3, and the impurity concentration of the SiC layer (20) is higher than 5 × 1018 cm-3 but lower than 2 × 1019 cm-3.

La présente invention concerne un MOSFET (100) qui est un dispositif à semi-conducteurs dont la résistance à l'état passant peut être réduite, et dans lequel on peut éliminer l'apparition de défauts d'empilement dus au traitement thermique ayant eu lieu pendant le processus de production du dispositif. Ce MOSFET (100) comprend un substrat de carbure de silicium (1), une couche active (7) qui est formée à partir d'un carbure de silicium à un seul cristal et disposée sur l'une des surfaces principales du substrat de carbure de silicium (1), une électrode de contact source (92) qui est disposée sur la couche active (7), et une électrode de drain (96) qui est formée sur l'autre surface principale du substrat de carbure de silicium (1). Le substrat de carbure de silicium(1) contient une couche de base (10) qui est formée de carbure de silicium et une couche SiC (20) qui est formée de carbure de silicium à un seul cristal et disposée sur la couche de base (10). La concentration en impuretés de la couche de base (10) est supérieure à 2 × 1019 cm-3, et la concentration en impuretés de la couche SiC (20) est supérieure à 5 × 1018 cm-3 mais inférieure à 2 × 1019 cm-3.

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