B - Operations – Transporting – 81 – C
Patent
B - Operations, Transporting
81
C
B81C 1/00 (2006.01)
Patent
CA 2610693
A method for thinning a wafer layer to a predetermined thickness comprises two phases of thinning. A first thinning phase and a second thinning phase, wherein the first thinning phase is a preparatory thinning phase and the second thinning phase is a final thinning phase, so performed that the structure comprising silicon meets as thinned the final thickness as predetermined. Such thinned layer in a wafer for instance, can be used in a sensor to be used in normal sized, micromechanical or even nano-sized devices for the device specific sensing applications in electro-mechanical devices.
Un procédé permettant d'amincir une couche de tranche à une épaisseur prédéterminée comprend deux phases d'amincissement. La première phase d'amincissement est une phase préparatoire et la deuxième phase d'amincissement est une phase finale, réalisées de sorte que la structure comprenant du silicium soit amincie à l'épaisseur finale prédéterminée. Une telle couche amincie présente dans une tranche par exemple, peut être utilisée en tant que capteur destiné à être employé dans des dispositifs de dimensions normales, micromécaniques ou même de taille nanoscopique pour des applications de détection propres au dispositif dans des dispositifs électromécaniques.
Lempinen Vesa-Pekka
Makinen Jari
Tilli Markku
Okmetic Oyj
Shapiro Cohen
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1471203