H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/12 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/47 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/872 (2006.01)
Patent
CA 2563731
This invention provides an epitaxial substrate for a vertical gallium nitride semiconductor device having a structure that can realize an n--type gallium nitride film having a desired low carrier concentration on an n-type gallium nitride substrate. A gallium nitride epitaxial film (65) is provided on a gallium nitride substrate (63). A layer region (67) is provided within the gallium nitride substrate (63) and the gallium nitride epitaxial film (65). The interface of the gallium nitride substrate (63) and the gallium nitride epitaxial film (65) is located within the layer region (67). In the layer region (67), a donor impurity along an axis from the gallium nitride substrate (63) to the gallium nitride epitaxial film (65) has a peak value of not less than 1 ~ 1018 cm-3. The donor impurity is at least any one of silicon and germanium.
La présente invention concerne un substrat épitaxial pour un dispositif semi-conducteur de nitrure de gallium vertical ayant une structure susceptible de réaliser un film de nitrure de gallium de type n- ayant une faible concentration porteuse désirée sur un substrat de nitrure de gallium de type n. Un film épitaxial de nitrure de gallium (65) est formé sur un substrat de nitrure de gallium (63). Une région de couche (67) est présente dans le substrat de nitrure de gallium (63) et le film épitaxial de nitrure de gallium (65). L~interface du substrat de nitrure de gallium (63) et du film épitaxial de nitrure de gallium (65) est située dans la région de couche (67). Dans la région de couche (67), une impureté de donneur le long d~un axe depuis le substrat de nitrure de gallium (63) vers le film épitaxial de nitrure de gallium (65) a une valeur de pointe supérieure ou égale à 1 × 1018 cm-3. L~impureté de donneur est au moins l'une quelconque parmi une impureté de silicium et une impureté de germanium.
Hashimoto Shin
Kiyama Makoto
Miura Kouhei
Sakurada Takashi
Tanabe Tatsuya
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1784408