Wide bandgap field effect transistors with source connected...

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H - Electricity

01

L

H01L 29/812 (2006.01) H01L 29/41 (2006.01)

Patent

CA 2564955

A field effect transistor comprising a buffer and channel layer (16) formed successively on a substrate (12). A source electrode (18), drain electrode (20), and gate (22) are all formed in electrical contact with the channel layer, with the gate between the source and drain electrodes. A spacer layer (26) is formed on at least a portion of a surface of the channel layer between the gate and drain electrode and a field plate (30) is formed on the spacer layer isolated from the gate and channel layer. The field plate (30) spacer layer is electrically connected by at least one conductive path to the source electrode, wherein the field plate reduces the peak operating electric field in the MESFET.

Transistor à effet de champ qui comporte une couche intermédiaire et une couche de canal formées successivement sur un substrat. Une électrode source, une électrode drain et une grille sont toutes formées de manière à se trouver en contact électrique avec la couche de canal, la grille se trouvant entre l'électrode source et l'électrode drain. Une couche d'écartement est formée sur au moins une partie d'une surface de la couche de canal entre la grille et l'électrode drain et une plaque de champ est formée sur la couche d'écartement et isolée de la grille et de la couche de canal. La couche d'écartement est électriquement connectée par au moins un trajet conducteur à l'électrode source et la plaque de champ réduit le champ électrique de fonctionnement de crête du transistor à effet de champ métal-semi-conducteur.

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