H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
Patent
CA 2566756
A HEMT comprising a plurality of active semiconductor layers formed on a substrate. Source electrode, drain electrode, and gate are formed in electrical contact with the plurality of active layers. A spacer layer is formed on at least a portion of a surface of said plurality of active layers and covering the gate. A field plate is formed on the spacer layer and electrically connected to the source electrode, wherein the field plate reduces the peak operating electric field in the HEMT.
La présente invention concerne un transistor à haute mobilité d'électrons (HEMT) qui comprend une pluralité de couches semi-conductrices actives formées sur un substrat. Une électrode source, une électrode drain et une grille sont formées en contact électrique avec les multiples couches actives. Une couche d'espacement est formée sur au moins une partie d'une surface des multiples couches actives et recouvre la grille. Une plaque de champ est formée sur la couche d'espacement et électriquement reliée à l'électrode source, ladite plaque de champ réduisant le champ électrique maximal dans le HEMT.
Mishra Umesh
Moore Marcia
Parikh Primit
Wu Yifeng
Cree Inc.
Oyen Wiggs Green & Mutala Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1638453