Wide bandgap transistors with multiple field plates

Details Wide bandgap transistors with multiple field plates Wide bandgap transistors with multiple field plates

H - Electricity

01

L

H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)

Patent

CA 2566361

A transistor comprising a plurality of active semiconductor layers on a substrate, with source and drain electrodes in contact with the semiconductor layers. A gate is formed between the source and drain electrodes and on the plurality of semiconductor layers. A plurality of field plates are arranged over the semiconductor layers, each of which extends from the edge of the gate toward the drain electrode, and each of which is isolated from said semiconductor layers and from the others of the field plates. The topmost of the field plates is electrically connected to the source electrode and the others of the field plates are electrically connected to the gate or the source electrode.

La présente invention concerne un transistor comprenant une pluralité de couches de semi-conducteur actives appliquées sur un substrat, des électrodes source et drain étant en contact avec les couches de semi-conducteur. Une porte est formée entre les électrodes source et drain et sur la pluralité de couches de semi-conducteur. Une pluralité de plaques de champ sont disposées sur les couches de semi-conducteur, chacune d'entre elles s'étendant du bord de la porte vers l'électrode drain, et chacune d'entre elles étant isolée desdites couches de semi-conducteur et des autres plaques de champ. La plaque de champ située la plus sur le dessus est connectée électriquement à l'électrode source, et les autres plaques de champ sont connectées électriquement à l'électrode porte ou source.

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