H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/04 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01)
Patent
CA 2442929
Silicon carbide structures are fabricated by fabricating a nitrided oxide layer on a layer of silicon carbide and annealing the nitrided oxide layer in an environment containing hydrogen. Such a fabrication of the nitrided oxide layer may be provided by forming the oxide layer in at least one of nitric oxide and nitrous oxide and/or annealing an oxide layer in at least one of nitric oxide and nitrous oxide. Alternatively, the nitrided oxide layer may be provided by fabricating an oxide layer and fabricating a nitride layer on the oxide layer so as to provide the nitrided oxide layer on which the nitride layer is fabricated. Furthermore, annealing the oxide layer may be provided as a separate step and/or substantially concurrently with another step such as fabricating the nitride layer or performing a contact anneal. The hydrogen environment may be pure hydrogen, hydrogen combined with other gases and/or result from a hydrogen precursor. Anneal temperatures of 400 ~C or greater are preferred.
L'invention concerne des structures de carbure de silicium formées par fabrication d'une couche d'oxyde nitruré sur une couche de carbure de silicium et par recuit de ladite couche d'oxyde nitruré dans un environnement contenant de l'hydrogène. La fabrication de la couche d'oxyde nitruré peut s'effectuer par formation d'une couche d'oxyde dans au moins un acide nitrique et un acide nitreux et/ou par recuit de cette couche d'oxyde dans au moins l'un des acides nitrique ou nitreux. Dans un autre mode de réalisation, la fabrication de la couche d'oxyde nitruré peut s'effectuer par formation d'une couche d'oxyde et par formation d'une couche de nitrure sur ladite couche d'oxyde de façon à obtenir la couche d'oxyde nitruré sur laquelle une couche de nitrure est fabriquée. En outre, le recuit de la couche d'oxyde peut s'effectuer dans une étape séparée et/ou sensiblement en même temps qu'une autre étape, telle que l'étape de fabrication de la couche de nitrure, ou par recuit de contact. L'environnement hydrogéné peut être de l'hydrogène pure, de l'hydrogène associée à d'autres gaz et/ou résultant d'un précurseur d'hydrogène. Les températures préférées de recuit sont égales à 400 ·C ou plus.
Das Mrinal Kanti
Lipkin Lori A.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1982525