B - Operations – Transporting – 81 – B
Patent
B - Operations, Transporting
81
B
B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01L 9/00 (2006.01) G01L 19/06 (2006.01)
Patent
CA 2490393
A microelectromechanical device and method of fabricating the same, including a layer of patterned and deposited metal or mechanical-quality, doped polysilicon inserted between the appropriate device element layers, which provides a conductive layer to prevent the microelectrochemical device's output from drifting. The conductive layer may encapsulate of the device's sensing or active elements, or may selectively cover only certain of the device's elements. Further, coupling the metal or mechanical-quality, doped polysilicon to the same voltage source as the device's substrate contact may place the conductive layer at the voltage of the substrate, which may function as a Faraday Shield, attracting undesired, migrating ions from interfering with the output of the device.
La présente invention concerne un dispositif micro-électromécanique et un procédé de fabrication de ce dispositif. Ce dispositif comprend une couche de métal déposé et structuré ou de polysilicium dopé, à qualité mécanique insérée entre les couches d'éléments de dispositif appropriées, cette couche fournissant une couche conductrice destinée à empêcher des sorties de ce dispositif micro-électromécanique de dériver. Cette couche conductrice peut encapsuler des capteurs ou des éléments actifs de ce dispositif ou elle peut recouvrir sélectivement uniquement certains de ces éléments de dispositif. Par ailleurs, le fait de coupler le métal ou le polysiliciun dopé à qualité mécanique à la même source de tension lorsque le substrat de ce dispositif est mis en contact, peut mettre la couche conductrice à la tension de ce substrat, laquelle peut fonctionner comme une cage de Faraday, attirant les ions indésirables migrants et les empêchant de venir brouiller la sortie de ce dispositif.
Gardner Gary R.
Rahn Curtis H.
Stratton Thomas G.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Honeywell International Inc.
LandOfFree
Microelectromechanical device with integrated conductive shield does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Microelectromechanical device with integrated conductive shield, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Microelectromechanical device with integrated conductive shield will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1992659